SIZF906ADT-T1-GE3 - MOSFET DUAL N-CHAN 30V

Número da peça de fabricante

SIZF906ADT-T1-GE3

Número de peça interno

AX-SIZF906ADT-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET DUAL N-CHAN 30V

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

612115 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.458346~~

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Especificações para SIZF906ADT-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SIZF906ADT-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET DUAL N-CHAN 30V

Series : TrenchFET® Gen IV

Status da Peça : Active

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual), Schottky

Recurso FET : Standard

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 10V, 200nC @ 10V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V

Potência - Max : 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote / caso : 8-PowerWDFN

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-PowerPair® (6x5)

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SIZF9 , SIZF906A

Documentos para SIZF906ADT-T1-GE3

Folhas de dados : SIZF906ADT-T1-GE3.pdf

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