SPD08P06PGBTMA1 - MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1202505 Pieces
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Especificações para SPD08P06PGBTMA1
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
SPD08P06PGBTMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252
Series :
SIPMOS®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8.83A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6.2V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
300 mOhm @ 10A, 6.2V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
420pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
42W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO252-3
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para SPD08P06PGBTMA1
Folhas de dados :
SPD08P06PGBTMA1.pdf
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