TSM061NA03CV RGG - MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN

Número da peça de fabricante

TSM061NA03CV RGG

Número de peça interno

AX-TSM061NA03CV RGG

Fabricante

Taiwan Semiconductor Corporation

Descrição breve

MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

973485 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.288204~~

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Especificações para TSM061NA03CV RGG

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : TSM061NA03CV RGG

Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation

Descrição : MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN

Series : -

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 66A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.1 mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 19.3nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1136pF @ 15V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 44.6W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-PDFN (3x3)

Pacote / caso : 8-PowerWDFN

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : TSM06 , TSM061NA

Documentos para TSM061NA03CV RGG

Folhas de dados : TSM061NA03CV RGG.pdf

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