TK31V60W,LVQ - MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-TK31V60W,LVQ
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
101210 Pieces
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Especificações para TK31V60W,LVQ
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
TK31V60W,LVQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN
Series :
DTMOSIV
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
30.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
98 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.7V @ 1.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
86nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3000pF @ 300V
Recurso FET :
Super Junction
Dissipação de energia (máx.) :
240W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
4-DFN-EP (8x8)
Pacote / caso :
4-VSFN Exposed Pad
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para TK31V60W,LVQ
Folhas de dados :
TK31V60W,LVQ.pdf
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