RQ3E100GNTB - MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-RQ3E100GNTB
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
3373785 Pieces
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Especificações para RQ3E100GNTB
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : RQ3E100GNTB
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.7 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 7.9nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 420pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2W (Ta), 15W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-HSMT (3.2x3)
Pacote / caso : 8-PowerVDFN
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para RQ3E100GNTB
Folhas de dados : RQ3E100GNTB.pdf
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