FDMS1D4N03S - MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-FDMS1D4N03S
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
470115 Pieces
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Especificações para FDMS1D4N03S
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
FDMS1D4N03S
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
Series :
PowerTrench®, SyncFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
211A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.09 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
65nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
10250pF @ 15V
Recurso FET :
Schottky Diode (Body)
Dissipação de energia (máx.) :
74W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-PQFN (5x6)
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para FDMS1D4N03S
Folhas de dados :
FDMS1D4N03S.pdf
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