FDD86367-F085 - MOSFET N-CH 80V 100A DPAK

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
655520 Pieces
Preço de referência
USD 0.427998
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Especificações para FDD86367-F085

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : FDD86367-F085
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 80V 100A DPAK
Series : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 88nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4840pF @ 40V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 227W (Tj)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-PAK (TO-252)
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : FDD8 , FDD863

Documentos para FDD86367-F085

Folhas de dados : FDD86367-F085.pdf

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