DMN10H170SFDE-13 - MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Número da peça de fabricante

DMN10H170SFDE-13

Número de peça interno

AX-DMN10H170SFDE-13

Fabricante

Diodes Incorporated

Descrição breve

MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

2522825 Pieces

Preço de referência

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Especificações para DMN10H170SFDE-13

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : DMN10H170SFDE-13

Fabricante : Diodes Incorporated

Descrição : MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Series : -

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.9A (Ta)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 9.7nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1167pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 660mW (Ta)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : U-DFN2020-6 (Type E)

Pacote / caso : 6-UDFN Exposed Pad

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : DMN10 , DMN10H17

Documentos para DMN10H170SFDE-13

Folhas de dados : DMN10H170SFDE-13.pdf

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