TPD3215M - GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
4176 Pieces
Preço de referência
USD 107.298
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Especificações para TPD3215M

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : TPD3215M
Fabricante : Transphorm
Descrição : GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET : GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 34 mOhm @ 30A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2260pF @ 100V
Potência - Max : 470W
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Module
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : TP , TPD3

Documentos para TPD3215M

Folhas de dados : TPD3215M.pdf

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