STD2HNK60Z-1 - MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-STD2HNK60Z-1
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
341315 Pieces
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Especificações para STD2HNK60Z-1
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
STD2HNK60Z-1
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Series :
SuperMESH™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
280pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
45W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I-PAK
Pacote / caso :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para STD2HNK60Z-1
Folhas de dados :
STD2HNK60Z-1.pdf
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