SIHU5N50D-GE3 - MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Número da peça de fabricante

SIHU5N50D-GE3

Número de peça interno

AX-SIHU5N50D-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

392940 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.714~~

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Especificações para SIHU5N50D-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SIHU5N50D-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

Series : -

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 500V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5.3A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±30V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 325pF @ 100V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 104W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Through Hole

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-251

Pacote / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SIHU , SIHU5N

Documentos para SIHU5N50D-GE3

Folhas de dados : SIHU5N50D-GE3.pdf

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