NTD6600N-1G - MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-NTD6600N-1G
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
5016 Pieces
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Especificações para NTD6600N-1G
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
NTD6600N-1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
12A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
146 mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
700pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I-PAK
Pacote / caso :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para NTD6600N-1G
Folhas de dados :
NTD6600N-1G.pdf
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