BSC159N10LSFGATMA1 - MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8

Número da peça de fabricante

BSC159N10LSFGATMA1

Número de peça interno

AX-BSC159N10LSFGATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

427000 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.657054~~

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Especificações para BSC159N10LSFGATMA1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : BSC159N10LSFGATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8

Series : OptiMOS™

Status da Peça : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9.4A (Ta), 63A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15.9 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 72µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2500pF @ 50V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 114W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TDSON-8

Pacote / caso : 8-PowerTDFN

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : BSC159 , BSC159N10

Documentos para BSC159N10LSFGATMA1

Folhas de dados : BSC159N10LSFGATMA1.pdf

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