2SK2845(TE16L1,Q) - MOSFET N-CH 900V 1A DP

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Descrição breve
MOSFET N-CH 900V 1A DP
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
7984 Pieces
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Especificações para 2SK2845(TE16L1,Q)

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : 2SK2845(TE16L1,Q)
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N-CH 900V 1A DP
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 900V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 40W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DP
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condição : Novo e original
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