IXTA1R6N100D2HV - MOSFET N-CH
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
180705 Pieces
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Especificações para IXTA1R6N100D2HV
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : IXTA1R6N100D2HV
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 1.6A (Tj)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 645pF @ 10V
Recurso FET : Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.) : 100W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263HV
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para IXTA1R6N100D2HV
Folhas de dados : IXTA1R6N100D2HV.pdf
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