SISH129DN-T1-GE3 - MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Número da peça de fabricante

SISH129DN-T1-GE3

Número de peça interno

AX-SISH129DN-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

1061120 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.264402~~

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Especificações para SISH129DN-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SISH129DN-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Series : TrenchFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 14.4A (Ta), 35A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.4 mOhm @ 14.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 71nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3345pF @ 15V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)

Temperatura de operação : -50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® 1212-8SH

Pacote / caso : PowerPAK® 1212-8SH

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SISH1 , SISH129D

Documentos para SISH129DN-T1-GE3

Folhas de dados : SISH129DN-T1-GE3.pdf

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