TK12E60W,S1VX - MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
188930 Pieces
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Especificações para TK12E60W,S1VX
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : TK12E60W,S1VX
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
Series : DTMOSIV
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 600µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 890pF @ 300V
Recurso FET : Super Junction
Dissipação de energia (máx.) : 110W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220
Pacote / caso : TO-220-3
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para TK12E60W,S1VX
Folhas de dados : TK12E60W,S1VX.pdf
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