IPI023NE7N3 G - MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
9936 Pieces
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Especificações para IPI023NE7N3 G
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : IPI023NE7N3 G
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 75V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 273µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 206nC @ 10V
Vgs (máx.) : -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 14400pF @ 37.5V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 300W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO262-3
Pacote / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para IPI023NE7N3 G
Folhas de dados : IPI023NE7N3 G.pdf
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