IRFH5110TR2PBF - MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN

Número da peça de fabricante

IRFH5110TR2PBF

Número de peça interno

AX-IRFH5110TR2PBF

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

10208 Pieces

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Especificações para IRFH5110TR2PBF

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IRFH5110TR2PBF

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN

Series : HEXFET®

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Ta), 63A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.4 mOhm @ 37A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 100µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3152pF @ 25V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 3.6W (Ta), 114W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-PQFN (5x6)

Pacote / caso : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IRFH , IRFH511

Documentos para IRFH5110TR2PBF

Folhas de dados : IRFH5110TR2PBF.pdf

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