APTM60H23FT1G - MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
20088 Pieces
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Especificações para APTM60H23FT1G
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : APTM60H23FT1G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 4 N-Channel (H-Bridge)
Recurso FET : Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 276 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 165nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5316pF @ 25V
Potência - Max : 208W
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : SP1
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SP1
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para APTM60H23FT1G
Folhas de dados : APTM60H23FT1G.pdf
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