DMN2005UFG-13 - MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1704600 Pieces
Preço de referência
USD 0.164592
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Especificações para DMN2005UFG-13

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : DMN2005UFG-13
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 18.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.6 mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 164nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 6495pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.05W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerDI3333-8
Pacote / caso : 8-PowerWDFN
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : DMN2 , DMN200

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Folhas de dados : DMN2005UFG-13.pdf

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