CDBGBSC101200-G - DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
66965 Pieces
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Especificações para CDBGBSC101200-G
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
CDBGBSC101200-G
Fabricante :
Comchip Technology
Descrição :
DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Series :
-
Status da Peça :
Active
Configuração de diodo :
1 Pair Common Cathode
Tipo de Diodo :
Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
1200V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) :
18A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
1.7V @ 5A
Rapidez :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
100µA @ 1200V
Temperatura de funcionamento - junção :
-55°C ~ 175°C
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote / caso :
TO-247-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para CDBGBSC101200-G
Folhas de dados :
CDBGBSC101200-G.pdf
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