SI8819EDB-T2-E1 - MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
3623455 Pieces
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Especificações para SI8819EDB-T2-E1
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
SI8819EDB-T2-E1
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 3.7V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 1.5A, 3.7V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 8V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
650pF @ 6V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
900mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Pacote / caso :
4-XFBGA
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para SI8819EDB-T2-E1
Folhas de dados :
SI8819EDB-T2-E1.pdf
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