STH275N8F7-6AG - MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
158990 Pieces
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Especificações para STH275N8F7-6AG
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
STH275N8F7-6AG
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
Series :
Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
180A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.1 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
193nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
13600pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
315W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
H2PAK-6
Pacote / caso :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para STH275N8F7-6AG
Folhas de dados :
STH275N8F7-6AG.pdf
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