FDB8870 - MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB

Número da peça de fabricante

FDB8870

Número de peça interno

AX-FDB8870

Fabricante

ON Semiconductor

Descrição breve

MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

478135 Pieces

Preço de referência

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Especificações para FDB8870

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : FDB8870

Fabricante : ON Semiconductor

Descrição : MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB

Series : PowerTrench®

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 23A (Ta), 160A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.9 mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 132nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5200pF @ 15V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 160W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263AB

Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : FD , FDB

Documentos para FDB8870

Folhas de dados : FDB8870.pdf

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