IRF6665TRPBF - MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Descrição breve
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
1037740 Pieces
Preço de referência
USD 0.27036
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Especificações para IRF6665TRPBF

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : IRF6665TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4.2A (Ta), 19A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 62 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 530pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DIRECTFET™ SH
Pacote / caso : DirectFET™ Isometric SH
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : IRF6 , IRF666

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Folhas de dados : IRF6665TRPBF.pdf

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