TPH4R50ANH,L1Q - MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
367030 Pieces
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Especificações para TPH4R50ANH,L1Q
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : TPH4R50ANH,L1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
Series : U-MOSVIII-H
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5200pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOP Advance (5x5)
Pacote / caso : 8-PowerVDFN
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para TPH4R50ANH,L1Q
Folhas de dados : TPH4R50ANH,L1Q.pdf
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