IPDD60R080G7XTMA1 - MOSFET NCH 650V 83A PG-HDSOP-10
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET NCH 650V 83A PG-HDSOP-10
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
125170 Pieces
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Especificações para IPDD60R080G7XTMA1
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : IPDD60R080G7XTMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET NCH 650V 83A PG-HDSOP-10
Series : CoolMOS™ G7
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 29A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 490µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1640pF @ 400V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 174W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-HDSOP-10-1
Pacote / caso : 10-PowerSOP Module
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para IPDD60R080G7XTMA1
Folhas de dados : IPDD60R080G7XTMA1.pdf
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