NVD5C648NLT4G - T6 60V LL DPAK

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
T6 60V LL DPAK
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
809475 Pieces
Preço de referência
USD 0.346596
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Especificações para NVD5C648NLT4G

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : NVD5C648NLT4G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : T6 60V LL DPAK
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 18A (Ta), 89A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.1 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2900pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.1W (Ta), 72W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DPAK (SINGLE GAUGE)
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : NVD5 , NVD5C6

Documentos para NVD5C648NLT4G

Folhas de dados : NVD5C648NLT4G.pdf

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