IPD50R800CEBTMA1 - MOSFET N CH 500V 5A TO252
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N CH 500V 5A TO252
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
52380 Pieces
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Especificações para IPD50R800CEBTMA1
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
IPD50R800CEBTMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N CH 500V 5A TO252
Series :
CoolMOS™
Status da Peça :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
800 mOhm @ 1.5A, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 130µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
12.4nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
280pF @ 100V
Recurso FET :
Super Junction
Dissipação de energia (máx.) :
40W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO252-3
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para IPD50R800CEBTMA1
Folhas de dados :
IPD50R800CEBTMA1.pdf
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