TPC8035-H(TE12L,QM - MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
8088 Pieces
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Especificações para TPC8035-H(TE12L,QM
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
TPC8035-H(TE12L,QM
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
Series :
U-MOSVI-H
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
18A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.2 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
82nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
7800pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1W (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SOP (5.5x6.0)
Pacote / caso :
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para TPC8035-H(TE12L,QM
Folhas de dados :
TPC8035-H(TE12L,QM.pdf
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