SI3458BDV-T1-GE3 - MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP

Número da peça de fabricante

SI3458BDV-T1-GE3

Número de peça interno

AX-SI3458BDV-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

1199450 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.23391~~

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Especificações para SI3458BDV-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SI3458BDV-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOP

Series : TrenchFET®

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4.1A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 30V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 2W (Ta), 3.3W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-TSOP

Pacote / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SI345 , SI3458BD

Documentos para SI3458BDV-T1-GE3

Folhas de dados : SI3458BDV-T1-GE3.pdf

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