TPS1101DR - MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

Número da peça de fabricante

TPS1101DR

Número de peça interno

AX-TPS1101DR

Fabricante

Texas Instruments

Descrição breve

MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

481965 Pieces

Preço de referência

~~USD 0.58212~~

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Especificações para TPS1101DR

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : TPS1101DR

Fabricante : Texas Instruments

Descrição : MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

Series : -

Status da Peça : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 15V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.3A (Ta)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 11.25nC @ 10V

Vgs (máx.) : +2V, -15V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 791mW (Ta)

Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOIC

Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : TPS , TPS1

Documentos para TPS1101DR

Folhas de dados : TPS1101DR.pdf

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