SIZ998DT-T1-GE3 - MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
682335 Pieces
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Especificações para SIZ998DT-T1-GE3
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
SIZ998DT-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual), Schottky
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.7 mOhm @ 15A, 10V, 2.8 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Potência - Max :
20.2W, 32.9W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-PowerWDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-PowerPair®
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para SIZ998DT-T1-GE3
Folhas de dados :
SIZ998DT-T1-GE3.pdf
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