EPC2016 - GANFET TRANS 100V 11A BUMPED DIE
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-EPC2016
Fabricante
Descrição breve
GANFET TRANS 100V 11A BUMPED DIE
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
15880 Pieces
Preço de referência
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Especificações para EPC2016
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
EPC2016
Fabricante :
EPC
Descrição :
GANFET TRANS 100V 11A BUMPED DIE
Series :
eGaN®
Status da Peça :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 11A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 3mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
5.2nC @ 5V
Vgs (máx.) :
+6V, -5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
520pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
-
Temperatura de operação :
-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Die
Pacote / caso :
Die
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para EPC2016
Folhas de dados :
EPC2016.pdf
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