IPD80R900P7ATMA1 - MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3

Número da peça de fabricante

IPD80R900P7ATMA1

Número de peça interno

AX-IPD80R900P7ATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Descrição breve

MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

722890 Pieces

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~~USD 0.38811~~

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Especificações para IPD80R900P7ATMA1

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : IPD80R900P7ATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descrição : MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3

Series : CoolMOS™ P7

Status da Peça : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 110µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±20V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 500V

Recurso FET : -

Dissipação de energia (máx.) : 45W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO252-3

Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : IPD80 , IPD80R90

Documentos para IPD80R900P7ATMA1

Folhas de dados : IPD80R900P7ATMA1.pdf

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