SI2356DS-T1-GE3 - MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23

Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
3688620 Pieces
Preço de referência
USD 0.076062
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Especificações para SI2356DS-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : SI2356DS-T1-GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 51 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 370pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-236
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso : -
Condição : Novo e original
Links Relacionados : SI235 , SI2356D

Documentos para SI2356DS-T1-GE3

Folhas de dados : SI2356DS-T1-GE3.pdf

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