HTNFET-D - MOSFET N-CH 55V 8-DIP
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-HTNFET-D
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
9150 Pieces
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Especificações para HTNFET-D
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : HTNFET-D
Fabricante : Honeywell Aerospace
Descrição : MOSFET N-CH 55V 8-DIP
Series : HTMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : -
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 4.3nC @ 5V
Vgs (máx.) : 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 290pF @ 28V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 50W (Tj)
Temperatura de operação : -55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-CDIP-EP
Pacote / caso : 8-CDIP Exposed Pad
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para HTNFET-D
Folhas de dados : HTNFET-D.pdf
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