M386ABG40M51-CAE - DDR4 LRDIMM 256 GB 8R x 4 3200 Mbps 1.2 V 288 (4H 3DS 16G x 4) x 36 Sample
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Fabricante
Descrição breve
DDR4 LRDIMM 256 GB 8R x 4 3200 Mbps 1.2 V 288 (4H 3DS 16G x 4) x 36 Sample
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
100065 Pieces
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Especificações para M386ABG40M51-CAE
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : M386ABG40M51-CAE
Fabricante : Samsung Semiconductor
Descrição : DDR4 LRDIMM 256 GB 8R x 4 3200 Mbps 1.2 V 288 (4H 3DS 16G x 4) x 36 Sample
Series : DDR3
DDR : DDR4
Tipo de DIMM : LRDIMM
Densidade : 256 GB
Terminou x Org. : 8R x 4
Rapidez : 3200 Mbps
Voltagem : 1.2 V
Número de Pin : 288
Composição componente : (4H 3DS 16G x 4) x 36
Status do produto : Sample
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para M386ABG40M51-CAE
Folhas de dados : M386ABG40M51-CAE.pdf
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