M386ABG40M51-CAE - DDR4 LRDIMM 256 GB 8R x 4 3200 Mbps 1.2 V 288 (4H 3DS 16G x 4) x 36 Sample
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
Fabricante
Descrição breve
DDR4 LRDIMM 256 GB 8R x 4 3200 Mbps 1.2 V 288 (4H 3DS 16G x 4) x 36 Sample
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
100065 Pieces
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Especificações para M386ABG40M51-CAE
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
M386ABG40M51-CAE
Fabricante :
Samsung Semiconductor
Descrição :
DDR4 LRDIMM 256 GB 8R x 4 3200 Mbps 1.2 V 288 (4H 3DS 16G x 4) x 36 Sample
Series :
DDR3
DDR :
DDR4
Tipo de DIMM :
LRDIMM
Densidade :
256 GB
Terminou x Org. :
8R x 4
Rapidez :
3200 Mbps
Voltagem :
1.2 V
Número de Pin :
288
Composição componente :
(4H 3DS 16G x 4) x 36
Status do produto :
Sample
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para M386ABG40M51-CAE
Folhas de dados :
M386ABG40M51-CAE.pdf
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