SIA814DJ-T1-GE3 - MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

Número da peça de fabricante

SIA814DJ-T1-GE3

Número de peça interno

AX-SIA814DJ-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Descrição breve

MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

Status RoHS

Sem chumbo / RoHS complacente

Tempo de entrega

1-2 dias

Quantidade disponível

6736 Pieces

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Especificações para SIA814DJ-T1-GE3

Qualidade garantida : 365 dias de garantia

Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto

País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número da peça : SIA814DJ-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descrição : MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6

Series : LITTLE FOOT®

Status da Peça : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4.5A (Tc)

Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 61 mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA

Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 10V

Vgs (máx.) : ±12V

Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 340pF @ 10V

Recurso FET : Schottky Diode (Isolated)

Dissipação de energia (máx.) : 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)

Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem : Surface Mount

Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Pacote / caso : PowerPAK® SC-70-6 Dual

Peso : -

Condição : Novo e original

Links Relacionados : SIA81 , SIA814D

Documentos para SIA814DJ-T1-GE3

Folhas de dados : SIA814DJ-T1-GE3.pdf

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