JAN1N5807US - DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-JAN1N5807US
Fabricante
Descrição breve
DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
58626 Pieces
Preço de referência
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Especificações para JAN1N5807US
Qualidade garantida :
365 dias de garantia
Recurso de estoque :
Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça :
JAN1N5807US
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF
Series :
Military, MIL-PRF-19500/477
Status da Peça :
Active
Tipo de Diodo :
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) :
50V
Atual - Média Retificada (Io) :
6A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If :
875mV @ 4A
Rapidez :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
30ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr :
5µA @ 50V
Capacitância @ Vr, F :
60pF @ 10V, 1MHz
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
SQ-MELF, B
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
B, SQ-MELF
Temperatura de funcionamento - junção :
-65°C ~ 175°C
Peso :
-
Condição :
Novo e original
Documentos para JAN1N5807US
Folhas de dados :
JAN1N5807US.pdf
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