FQB4N80TM - MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Número da peça de fabricante
Número de peça interno
AX-FQB4N80TM
Fabricante
Descrição breve
MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Tempo de entrega
1-2 dias
Quantidade disponível
514735 Pieces
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Especificações para FQB4N80TM
Qualidade garantida : 365 dias de garantia
Recurso de estoque : Distribuidor Franqueado / Fabricante Direto
País de origem : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número da peça : FQB4N80TM
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
Series : QFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 Ohm @ 1.95A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 880pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 3.13W (Ta), 130W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D²PAK (TO-263AB)
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso : -
Condição : Novo e original
Documentos para FQB4N80TM
Folhas de dados : FQB4N80TM.pdf
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